LIVRE BLANCÂ : LACIE FASTKEY USBÂ 3.0Â SSD
Résumé et FAQ
Ce livre blanc traite des atouts que présentent les disques à semi-conducteurs (SSD,
Solid State Drive) face aux disques durs classiques ; il cible plus particulièrement la première mise en Suvre de cette technologie émergeante, la FastKey USB 3.0.
Livre blanc LaCie (résumé et FAQ) : FastKey USB 3.0 SSD
QU'EST-CE QU'UN DISQUEÂ SSD
(SOLID STATE DRIVE, DISQUE Ã
SEMI-CONDUCTEURS)Â ?
PERFORMANCES
Temps d'accès : temps nécessaire dont un programme ou un dispositif a besoin pour localiser une information unique et la rendre disponible pour l'ordinateur qui va la traiter. L'unité de mesure communément utilisée pour le temps d'accès est la milliseconde (ms).
Un disque de type SSD ne comporte que des modules de mémoire flash de type NAND et un contrôleur extrêmement rapide.
Le temps d'accès d'une LaCie FastKey est inférieur à 1 ms, soit une vitesse plus de
18 fois supérieure à celle d'un disque dur.
La fiabilité et la vitesse de ces disques sont plus importantes que celles des disques durs standards ; ils ne disposent en effet ni de composants mobiles, ni de latence, ni de vitesse de transfert variable.
Taux de transfert séquentiel : quantité de données que le dispositif peut lire ou écrire pour les secteurs adjacents de l'outil de stockage en une seconde.
La LaCie FastKey est un véritable disque SSD.
MLC OU SLCÂ ?
La technologie SLC (Single-Layer Cell, cellule à un niveau)
est généralement utilisé dans les produits « de niveau professionnel », de part son prix et sa fiabilité plus élevés.
La technologie MLC (Multi-Layer Cell, cellule à plusieurs niveaux) est quant à elle généralement réservée aux produits « grand public ».
Les deux technologies disposent de la même architecture.
QU'EST-CE QUE LE
NIVELLEMENT D'USURE
STATIQUEÂ ?
La durée de vie des modules de mémoire flash de type NAND est limitée à 1 000 000 cycles « programmation/suppression ». Le nivellement d'usure statique a été créé afin de limiter ce problème en dispersant les écritures sur l'ensemble du dispositif et non toujours sur les mêmes blocs mémoire.
